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航天器介质深层充电模拟研究

王骥 邱家稳 秦晓刚 马亚莉

王骥, 邱家稳, 秦晓刚, 马亚莉. 航天器介质深层充电模拟研究[J]. 空间科学学报, 2008, 28(3): 242-247. doi: 10.11728/cjss2008.03.242
引用本文: 王骥, 邱家稳, 秦晓刚, 马亚莉. 航天器介质深层充电模拟研究[J]. 空间科学学报, 2008, 28(3): 242-247. doi: 10.11728/cjss2008.03.242
WANG Ji, QIU Jiawen, QIN Xiaogang, MA Yali. Research on Simulation of Deep Charging for Spacecraft Dielectrics[J]. Chinese Journal of Space Science, 2008, 28(3): 242-247. doi: 10.11728/cjss2008.03.242
Citation: WANG Ji, QIU Jiawen, QIN Xiaogang, MA Yali. Research on Simulation of Deep Charging for Spacecraft Dielectrics[J]. Chinese Journal of Space Science, 2008, 28(3): 242-247. doi: 10.11728/cjss2008.03.242

航天器介质深层充电模拟研究

doi: 10.11728/cjss2008.03.242

Research on Simulation of Deep Charging for Spacecraft Dielectrics

  • 摘要: 针对航天器介质深层充电问题,提出了一种基于蒙特卡罗模拟和充电动力学RIC模型的介质电荷分布及电场预估新方法,利用地面试验验证了其正确性.航天器介质平板充电过程被简化为屏蔽铝板与分层介质组成的Geant 4模型,通过统计方法计算出了实际入射束流下Teflon介质内的注入电流密度和剂量率分布曲线,利用RIC模型获得了背面接地时介质中的电荷密度和电场分布,利用脉冲电声法(PEA)对不同束流密度辐照下的Teflon内部空间电荷密度进行了测量.数值模拟和地面试验结果表明,Teflon在100 keV能量电子辐照下,电荷密度和电场随着束流密度的增加而不断增大,其电荷密度峰值位置约为0.042 mm,且背面接地时接地侧电场最大.由于Geant 4粒子输运模拟和RIC模型具有通用性,因此该方法适用于各种航天器介质材料.

     

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出版历程
  • 收稿日期:  1900-01-01
  • 修回日期:  1900-01-01
  • 刊出日期:  2008-05-15

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