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利用半导体二极管伏安特性进行朗缪尔探针性能测试研究

刘超 关燚炳 张爱兵 孙越强 梁金宝 郑香脂 丁建京 孔令高 田峥 王文静

刘超, 关燚炳, 张爱兵, 孙越强, 梁金宝, 郑香脂, 丁建京, 孔令高, 田峥, 王文静. 利用半导体二极管伏安特性进行朗缪尔探针性能测试研究[J]. 空间科学学报, 2015, 35(6): 763-768. doi: 10.11728/cjss2015.06.763
引用本文: 刘超, 关燚炳, 张爱兵, 孙越强, 梁金宝, 郑香脂, 丁建京, 孔令高, 田峥, 王文静. 利用半导体二极管伏安特性进行朗缪尔探针性能测试研究[J]. 空间科学学报, 2015, 35(6): 763-768. doi: 10.11728/cjss2015.06.763
LIU Chao, GUAN Yibin, ZHANG Aibing, SUN Yueqiang, LIANG Jinbao, ZHENG Xiangzhi, DING Jianjing, KONG Linggao, TIAN Zheng, WANG Wenjing. Study on Technology of Using Semiconductor Diode Volt-Ampere Characteristic to Test Langmuir Probe Performance[J]. Journal of Space Science, 2015, 35(6): 763-768. doi: 10.11728/cjss2015.06.763
Citation: LIU Chao, GUAN Yibin, ZHANG Aibing, SUN Yueqiang, LIANG Jinbao, ZHENG Xiangzhi, DING Jianjing, KONG Linggao, TIAN Zheng, WANG Wenjing. Study on Technology of Using Semiconductor Diode Volt-Ampere Characteristic to Test Langmuir Probe Performance[J]. Journal of Space Science, 2015, 35(6): 763-768. doi: 10.11728/cjss2015.06.763

利用半导体二极管伏安特性进行朗缪尔探针性能测试研究

doi: 10.11728/cjss2015.06.763
基金项目: 电磁监测试验卫星项目资助(Y26604AG80)
详细信息
    通讯作者:

    刘超,E-mail:liuch@nssc.ac.cn

  • 中图分类号: P354

Study on Technology of Using Semiconductor Diode Volt-Ampere Characteristic to Test Langmuir Probe Performance

  • 摘要: 研究讨论了一种利用半导体二极管伏安特性进行朗缪尔探针性能测试的方法. 设计的朗缪尔探针性能测试方法对外界因素要求较低,在常温常压的通常实 验室环境下即可进行,其测试结果可作为利用地面等离子体环境进行定标测试 前的初步性能验证. 通过实验室环境下的测试试验, 验证了该方法的有效性和 可行性.

     

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出版历程
  • 收稿日期:  2014-12-31
  • 修回日期:  2015-07-20
  • 刊出日期:  2015-11-15

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